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寬幅鉬靶材

寬幅鉬靶材

  • 所屬分類:鉬靶材
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  • 發(fā)布時間:2022-09-28 15:43:44
  • 產(chǎn)品概述

高純鉬靶是AMOLED面板生產(chǎn)中的關(guān)鍵原材料之一,該公司的新產(chǎn)品是適用于TFT-LCD/AMOLED的超寬高純高密鉬平面濺射靶材,主要應(yīng)用于G2.5-G6代TFT-LCD/AMOLED,填補了內(nèi)寬幅鉬靶(1800mm)空白,對公司未來的市場拓展、業(yè)績成長產(chǎn)生重要影響。

濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高,一般要求如,尺寸、平整度、純度、各項雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制;較高要求或殊要求包含:表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物(氧化物)含量與尺寸、導磁率、超高密度與超細晶粒等等。磁控濺射鍍膜是種新型的物理氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上,使其被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬,合金,陶瓷化合物等。

磁控濺射鍍膜是種新型的物理氣相鍍膜方式,相比于蒸發(fā)鍍膜方式,其在很多方面有相當明顯的優(yōu)勢。作為項已經(jīng)發(fā)展的較為成熟的技術(shù),磁控濺射已經(jīng)被應(yīng)用于許多域。

濺射技術(shù)

濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一,它利用離子源產(chǎn)生的離子,在真空中經(jīng)過加速聚集,而形成高速度能的離子束流,轟擊固體表面,離子和固體表面原子發(fā)生動能交換,使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導體集成電路、太陽能光伏、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。

主要應(yīng)用

濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè),如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等;亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜域;還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。

分類

根據(jù)形狀可分為方靶,圓靶,異型靶

根據(jù)成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材

根據(jù)應(yīng)用不同又分為半導體關(guān)聯(lián)陶瓷靶材、記錄介質(zhì)陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等

根據(jù)應(yīng)用域分為微電子靶材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電靶材、封裝靶材、其他靶材

磁控濺射原理:在被濺射的靶(陰)與陽之間加個正交磁場和電場,在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣),磁鐵在靶材料表面形成250~350高斯的磁場,同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下,Ar氣電離成正離子和電子,靶上加有定的負高壓,從靶發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大,在陰附近形成高密度的等離子體,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,以很高的速度轟擊靶面,使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射般分為二種:支流濺射和射頻濺射,其中支流濺射設(shè)備原理簡單,在濺射金屬時,其速率也快。而射頻濺射的使用范圍廣泛,除可濺射導電材料外,也可濺射非導電的材料,同時還司進行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射,常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

磁控濺射鍍膜靶材:

金屬濺射鍍膜靶材,合金濺射鍍膜靶材,陶瓷濺射鍍膜靶材,硼化物陶瓷濺射靶材,碳化物陶瓷濺射靶材,氟化物陶瓷濺射靶材 ,氮化物陶瓷濺射靶材 ,氧化物陶瓷靶材,硒化物陶瓷濺射靶材 ,硅化物陶瓷濺射靶材 ,硫化物陶瓷濺射靶材 ,碲化物陶瓷濺射靶材 ,其他陶瓷靶材,摻鉻氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO),磷化銦靶材(InP),砷化鉛靶材(PbAs),砷化銦靶材(InAs)。


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